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華人胡正明獲美國最高技術獎:發明FinFET

日期:2015-12-24

美國東部時間22日,2015年美國最高科技獎獲獎名單公布,包括9名國家科學獎獲得者(National Medal of Science)和8名國家技術和創新獎(National Medal of Technology and Innovation)獲得者。
其中美籍華人科學家胡正明榮獲年度國家技術和創新獎。

胡正明教授是鰭式場效晶體管(FinFET)的發明者,如今三星、臺積電能做到14nm/16nm都依賴這項技術。他1947年出生于北京豆芽菜胡同,在臺灣長大,后來考入加州大學伯克利分校。
在華為海思麒麟950的發布會上,胡正明教授曾現身VCR(視頻點擊),據他介紹,FinFET的兩個突破,一是把晶體做薄后解決了漏電問題,二是向上發展,晶片內構從水平變成垂直。
胡認為,FinFET的真正影響是打破了原來英特爾對全世界宣布的將來半導體的限制,這項技術現在仍看不到極限。
2010年后,Bulk CMOS工藝技術在20nm走到盡頭,胡教授的FinFET和FD-SOI工藝發明得以使摩爾定律在今天延續傳奇。
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